iPhone 7 super con le DDR4 DRAM da 8-gigabit e 10 nanometri

Sono voci decisamente interessanti quelle che hanno preso piede nel corso delle ultime per quanto riguarda l’iPhone 7. Nonostante manchino circa cinque mesi alla sua presentazione ufficiale, infatti, sembrerebbe che il produttore americano voglia fare realmente le cose in grande per il suo top di gamma 2016. Insomma, dare una risposta netta e decisa ai vari Samsung Galaxy S7 ed LG G5 si rivela necessario in un mercato sempre più competitivo.

Le ultime voci, ad esempio, ci parlano di un coinvolgimento da parte di Samsung nel processo produttivo di questo device, nonostante nelle scorse settimane i rumors fossero andati nella direzione opposta. In quale modo? Attraverso la fornitura di nuovi chip, contesto nel quale Samsung riesce ancora a differenziarsi rispetto ai concorrenti diretti, inducendo in questo modo Apple a fare un passo indietro se consideriamo le feroci battaglie legali degli ultimi anni.

Scendendo maggiormente in dettagli, grazie al colosso coreano il nuovo iPhone 7 potrebbe avvalersi delle DDR4 DRAM da 8-gigabit e 10 nanometri. Cosa comporterebbe una mossa di questo tipo? I chip in questione assicurano una velocità del 30% superiore rispetto alla versione precedente, non un dettaglio insignificante, senza dimenticare che la velocità di trasferimento dati che può raggiungere i 3,200Mbps.

A quanto riportato, poi, va aggiunto il fatto che questi chip consumano tra il 10% e il 20% in meno di energia rispetto ai predecessori. Insomma, oltre a garantire prestazioni nettamente superiori al nuovo iPhone 7, questa componente assicurerà anche un passo in avanti non indifferente in termini di durata della batteria. Staremo a vedere in quale direzione andranno i prossimi rumors, ma quelli di BGR sono indubbiamente di interesse estremo per i seguaci della mela.